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    PMDPB80XP,115

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    制造商编号：
    PMDPB80XP,115
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.7A 485mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
    规格说明书：
    PMDPB80XP,115说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 -
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 2 个 P 沟道（双）
    FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
    漏源电压（Vdss） 20V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 102 毫欧 @ 2.7A，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 8.6nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 550pF @ 10V
    功率 - 最大值 485mW
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
    供应商器件封装 6-HUSON（2x2）
    标准包装 3,000

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    型号 品牌 参考价格 说明
    FDMA1029PZ onsemi ¥7.07000 类似

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    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥1.438452 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    3000+ ￥1.438452 ￥4315.36

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