IXTQ60N20T
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- 制造商编号:
- IXTQ60N20T
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- Trench
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 200 V 60A(Tc) 500W(Ta) TO-3P
- 规格说明书:
- IXTQ60N20T说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | Trench |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4530 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 500W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥25.510378 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥49.56021 | ¥49.56 |
10+ | ¥44.524614 | ¥445.25 |
100+ | ¥36.480219 | ¥3648.02 |
500+ | ¥31.054557 | ¥15527.28 |
1000+ | ¥26.190619 | ¥26190.62 |
2000+ | ¥25.510378 | ¥51020.76 |