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VS-GB75TP120N

Vishay photo

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制造商编号:
VS-GB75TP120N
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
详细描述:
IGBT 模块 - 半桥 1200 V 150 A 543 W 底座安装 INT-A-PAK
规格说明书:
VS-GB75TP120N说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
IGBT 类型 -
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 150 A
功率 - 最大值 543 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.35V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值) 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 5.52 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装 INT-A-PAK
标准包装 24

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型号 品牌 参考价格 说明
FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies ¥1,282.66000 类似

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