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STH275N8F7-2AG

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制造商编号:
STH275N8F7-2AG
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
描述:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述:
表面贴装型 N 通道 80 V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2
规格说明书:
STH275N8F7-2AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.1 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 193 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13600 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 315W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 H2Pak-2
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥35.797703 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥59.581667 ¥59.58
10+ ¥53.557603 ¥535.58
100+ ¥43.877447 ¥4387.74
500+ ¥37.352384 ¥18676.19
1000+ ¥35.797703 ¥35797.70

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