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STH275N8F7-2AG
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- 制造商编号：
- STH275N8F7-2AG
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
- 规格说明书：
- STH275N8F7-2AG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 193 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13600 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 315W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H2Pak-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥35.797703 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥59.581667 | ￥59.58 |
| 10+ | ￥53.557603 | ￥535.58 |
| 100+ | ￥43.877447 | ￥4387.74 |
| 500+ | ￥37.352384 | ￥18676.19 |
| 1000+ | ￥35.797703 | ￥35797.70 |
