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STGY80H65DFB

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制造商编号:
STGY80H65DFB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 650V 120A 469W MAX247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 MAX247™
规格说明书:
STGY80H65DFB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,80A
功率 - 最大值 469 W
开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 414 nC
25°C 时 Td(开/关)值 84ns/280ns
测试条件 400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 85 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 MAX247™
标准包装 30

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IXXH60N65B4 IXYS ¥59.29000 类似
IXXH60N65B4H1 IXYS ¥95.53000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥126.490264 ¥126.49
10+ ¥116.223545 ¥1162.24
100+ ¥99.420413 ¥9942.04

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