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SI2329DS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 8 V 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2329DS-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1485 pF @ 4 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.363261 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.918379 | ￥5.92 |
| 10+ | ￥5.194746 | ￥51.95 |
| 100+ | ￥3.985581 | ￥398.56 |
| 500+ | ￥3.151015 | ￥1575.51 |
| 1000+ | ￥2.520819 | ￥2520.82 |
| 3000+ | ￥2.363261 | ￥7089.78 |
