IXFT150N20T
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- 制造商编号:
- IXFT150N20T
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Trench
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 150A TO268
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 200 V 150A(Tc) 890W(Tc) TO-268AA
- 规格说明书:
- IXFT150N20T说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Trench |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 177 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 11700 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 890W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-268AA |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
标准包装 | 30 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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30+ | ¥161.868099 | ¥4856.04 |