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DMT10H015LFG-13
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- 制造商编号：
- DMT10H015LFG-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
- 规格说明书：
- DMT10H015LFG-13说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1871 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | ¥14.51000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.632002 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | ￥4.632002 | ￥13896.01 |
