STK822
规格参数
属性 | 属性值 |
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制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.15 毫欧 @ 19A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6060 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 5.2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PolarPak® |
封装/外壳 | PolarPak® |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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