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BSS159NH6327XTSA2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSS159NH6327XTSA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- SIPMOS®
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
- 规格说明书：
- BSS159NH6327XTSA2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 160mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 26µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 39 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.144604 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.632407 | ￥5.63 |
| 10+ | ￥4.821738 | ￥48.22 |
| 100+ | ￥3.602627 | ￥360.26 |
| 500+ | ￥2.83095 | ￥1415.48 |
| 1000+ | ￥2.187475 | ￥2187.47 |
| 3000+ | ￥2.144604 | ￥6433.81 |
