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SCTWA50N120

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制造商编号:
SCTWA50N120
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
详细描述:
通孔 N 通道 1200 V 65A(Tc) 318W(Tc) HiP247™
规格说明书:
SCTWA50N120说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 69 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 122 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1900 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 318W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247™
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 600

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型号 品牌 参考价格 说明
MSC040SMA120B Microchip Technology ¥169.64000 类似

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标准包装
600 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥337.284574 ¥337.28
10+ ¥311.089451 ¥3110.89
25+ ¥305.8445 ¥7646.11

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