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SSM5N16FUTE85LF
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- 制造商编号：
- SSM5N16FUTE85LF
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- π-MOSVI
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 100MA USV
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 100mA（Ta） 200mW（Ta） 5-SSOP
- 规格说明书：
- SSM5N16FUTE85LF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | π-MOSVI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.3 pF @ 3 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 5-SSOP |
| 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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