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APT6M100K

Microsemi photo

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制造商编号:
APT6M100K
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
规格说明书:
APT6M100K说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1410 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 225W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220 [K]
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

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库存
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货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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