STH185N10F3-2
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- 制造商编号:
- STH185N10F3-2
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2
- 规格说明书:
- STH185N10F3-2说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 114.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6665 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 315W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | H2Pak-2 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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BUK763R8-80E,118 | Nexperia USA Inc. | ¥26.73000 | 类似 |
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- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥44.6676 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥49.746714 | ¥49.75 |
10+ | ¥44.6676 | ¥446.68 |