RF4E070BNTR
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- 制造商编号:
- RF4E070BNTR
- 制造商:
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 7A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
- 规格说明书:
- RF4E070BNTR说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 不适用于新设计 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 28.6 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.9 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 410 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | HUML2020L8 |
封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | ¥3.92000 | 类似 |
PMPB25ENEX | Nexperia USA Inc. | ¥3.76000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.967621 | ¥7.97 |
10+ | ¥7.160601 | ¥71.61 |
100+ | ¥5.581324 | ¥558.13 |
500+ | ¥4.610415 | ¥2305.21 |
1000+ | ¥3.639801 | ¥3639.80 |
3000+ | ¥3.397148 | ¥10191.44 |
6000+ | ¥3.308911 | ¥19853.47 |