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SPB80N08S2-07

Infineon photo

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制造商编号:
SPB80N08S2-07
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 75 V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
规格说明书:
SPB80N08S2-07说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.1 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 180 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6130 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN008-75B,118 Nexperia USA Inc. ¥16.20000 类似
BUK9609-75A,118 Nexperia USA Inc. ¥23.04000 类似
PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc. ¥19.20000 类似

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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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