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NTZD3152PT1G

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制造商编号:
NTZD3152PT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563
规格说明书:
NTZD3152PT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 430mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 175pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
标准包装 4,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc. ¥3.84000 类似
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated ¥3.84000 类似

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库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.026714 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.873959 ¥4.87
10+ ¥3.68531 ¥36.85
100+ ¥2.295486 ¥229.55
500+ ¥1.570161 ¥785.08
1000+ ¥1.207896 ¥1207.90
2000+ ¥1.087104 ¥2174.21
4000+ ¥1.087104 ¥4348.42
8000+ ¥1.026714 ¥8213.71

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