在线客服 
IRF7480MTRPBF
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF7480MTRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®, StrongIRFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 217A（Tc） 96W（Tc） DirectFET™ Isometric ME
- 规格说明书：
- IRF7480MTRPBF说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 217A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 132A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 185 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6680 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DirectFET™ Isometric ME |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ME |
| 标准包装 | 4,800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥15.944798 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.261505 | ￥28.26 |
| 10+ | ￥25.352049 | ￥253.52 |
| 100+ | ￥20.377378 | ￥2037.74 |
| 500+ | ￥16.741951 | ￥8370.98 |
| 1000+ | ￥15.944798 | ￥15944.80 |
| 4800+ | ￥15.944798 | ￥76535.03 |
