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IRLS4030TRL7PP

Infineon photo

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制造商编号:
IRLS4030TRL7PP
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
规格说明书:
IRLS4030TRL7PP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 110A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 140 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11490 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 370W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK(7-Lead)
封装/外壳 TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥34.788644 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥55.292086 ¥55.29
10+ ¥49.673356 ¥496.73
100+ ¥40.702286 ¥4070.23
800+ ¥34.788644 ¥27830.92

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