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CSD23202W10T
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- 制造商编号：
- CSD23202W10T
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 12 V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
- 规格说明书：
- CSD23202W10T说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 53 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | -6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 512 pF @ 6 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 250 |
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.845884 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.021457 | ￥10.02 |
| 10+ | ￥8.985741 | ￥89.86 |
| 100+ | ￥7.005819 | ￥700.58 |
| 250+ | ￥6.548761 | ￥1637.19 |
| 500+ | ￥5.787379 | ￥2893.69 |
| 1000+ | ￥4.845884 | ￥4845.88 |
