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1N5399S-T

Diodes photo

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制造商编号:
1N5399S-T
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41
详细描述:
二极管 标准 1000 V 1.5A 通孔 DO-41
规格说明书:
1N5399S-T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V
电流 - 平均整流 (Io) 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 1.5 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容 20pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
GP15M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.15000 类似
GP15M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.22000 类似
1N4007FFG onsemi ¥2.07000 类似
RGP15M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.22000 类似

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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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阶梯 单价(含税价) 总价
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