SIHB24N65E-GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ONNj5MA6.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/ONNj5MA6.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHB24N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- SIHB24N65E-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 145 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 122 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2740 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB21N65M5 | STMicroelectronics | ¥42.31000 | 类似 |
STB30N80K5 | STMicroelectronics | ¥64.05000 | 类似 |
STB24NM60N | STMicroelectronics | ¥52.84000 | 类似 |
STB30N65M5 | STMicroelectronics | ¥55.45000 | 类似 |
STB20N65M5 | STMicroelectronics | ¥27.80000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1000+ | ¥30.76497 | ¥30764.97 |