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DMN2014LHAB-7
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- 制造商编号：
- DMN2014LHAB-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 9A 800mW 表面贴装型 U-DFN2030-6（B 类）
- 规格说明书：
- DMN2014LHAB-7说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2030-6（B 类） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.992587 | ￥4.99 |
| 10+ | ￥4.253958 | ￥42.54 |
| 100+ | ￥3.1785 | ￥317.85 |
| 500+ | ￥2.497616 | ￥1248.81 |
| 1000+ | ￥1.929931 | ￥1929.93 |
| 3000+ | ￥1.75967 | ￥5279.01 |
| 6000+ | ￥1.64614 | ￥9876.84 |
