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SI1050X-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI1050X-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 8 V 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89（SOT-563F）
- 规格说明书：
- SI1050X-T1-E3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.34A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 86 毫欧 @ 1.34A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 585 pF @ 4 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 236mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-89（SOT-563F） |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥4.07000 | 直接 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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