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GA10JT12-263

GeneSiC photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
GA10JT12-263
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
TRANS SJT 1200V 25A
详细描述:
表面贴装型 - 1200 V 25A(Tc) 170W(Tc) -
规格说明书:
GA10JT12-263说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 -
技术 SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 10A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1403 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 170W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 -
封装/外壳 -
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥181.556901 ¥181.56
10+ ¥166.890322 ¥1668.90
100+ ¥140.944601 ¥14094.46
500+ ¥125.380519 ¥62690.26

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