SI4838DY-T1-GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/38GRrl6r.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/38GRrl6r.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4838DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 12 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4838DY-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 毫欧 @ 25A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
2500+ | ¥16.176893 | ¥40442.23 |