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APT45GR65SSCD10
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- 制造商编号：
- APT45GR65SSCD10
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 详细描述：
- IGBT NPT 650 V 118 A 543 W 表面贴装型 D3Pak
- 规格说明书：
- APT45GR65SSCD10说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 118 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 224 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.4V @ 15V，45A |
| 功率 - 最大值 | 543 W |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 203 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/100ns |
| 测试条件 | 433V，45A，4.3 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 80 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D3Pak |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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