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IRFH8318TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRFH8318TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)
规格说明书:
IRFH8318TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A(Ta),120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3180 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),59W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.493554 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.120926 ¥10.12
10+ ¥8.898706 ¥88.99
100+ ¥6.82143 ¥682.14
500+ ¥5.392265 ¥2696.13
1000+ ¥4.493542 ¥4493.54
4000+ ¥4.493554 ¥17974.22

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