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MTI200WX75GD-SMD

IXYS photo

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制造商编号:
MTI200WX75GD-SMD
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
详细描述:
MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 75V 255A(Tc) - 表面贴装型 ISOPLUS-DIL™
规格说明书:
MTI200WX75GD-SMD说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 255A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 155nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14400pF @ 38V
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 ISOPLUS-DIL™
供应商器件封装 ISOPLUS-DIL™
标准包装 13

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
13 / PCS
包装
管件
单价:¥340.368979 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
13+ ¥340.368979 ¥4424.80

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