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BSM600C12P3G201

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

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制造商编号:
BSM600C12P3G201
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
详细描述:
底座安装 N 通道 1200 V 600A(Tc) 2460W(Tc) 模块
规格说明书:
BSM600C12P3G201说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 182mA
Vgs(最大值) +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 28000 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2460W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 模块
封装/外壳 模块
标准包装 4

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4 / PCS
包装
托盘
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10504.471019 ¥10504.47

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