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NVTFS6H888NTAG
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- 制造商编号：
- NVTFS6H888NTAG
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 4.7A（Ta），12A（Tc） 2.9W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- NVTFS6H888NTAG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A（Ta），12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 15µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.9W（Ta），18W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1,500 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 1,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.593382 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.104883 | ￥6.10 |
| 10+ | ￥5.376276 | ￥53.76 |
| 100+ | ￥4.123966 | ￥412.40 |
| 500+ | ￥3.260256 | ￥1630.13 |
| 1500+ | ￥2.608215 | ￥3912.32 |
| 3000+ | ￥2.593382 | ￥7780.15 |
