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FCMT199N60
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- 制造商编号：
- FCMT199N60
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 208W（Tc） Power88
- 规格说明书：
- FCMT199N60说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® II |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 199 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 74 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2950 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Power88 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥17.871317 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥29.790834 | ￥29.79 |
| 10+ | ￥26.735906 | ￥267.36 |
| 100+ | ￥21.905339 | ￥2190.53 |
| 500+ | ￥18.647371 | ￥9323.69 |
| 1000+ | ￥17.871255 | ￥17871.26 |
| 3000+ | ￥17.871317 | ￥53613.95 |
