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APTGT50A120D1G
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- 制造商编号：
- APTGT50A120D1G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 75 A 270 W 底座安装 D1
- 规格说明书：
- APTGT50A120D1G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 75 A |
| 功率 - 最大值 | 270 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 3.6 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | D1 |
| 供应商器件封装 | D1 |
| 标准包装 | 1 |
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- 散装
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