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EPC2101ENGRT
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- 制造商编号：
- EPC2101ENGRT
- 制造商：
- EPC
- 系列：
- eGaN®
- 描述：
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 60V 9.5A，38A - 表面贴装型 模具
- 规格说明书：
- EPC2101ENGRT说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A，38A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.7nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 标准包装 | 500 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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