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STB20N60M2-EP

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制造商编号:
STB20N60M2-EP
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ M2-EP
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 13A(Tc) - D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STB20N60M2-EP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ M2-EP
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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