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HN1C03FU-B,LF

Toshiba photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
HN1C03FU-B,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN(双) 20V 300mA 30MHz 200mW 表面贴装型 US6
规格说明书:
HN1C03FU-B,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 100mV @ 3mA,30A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 350 @ 4mA,2V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.41958 ¥3.42
10+ ¥2.52137 ¥25.21
100+ ¥1.429498 ¥142.95
500+ ¥0.946494 ¥473.25
1000+ ¥0.725623 ¥725.62
3000+ ¥0.630992 ¥1892.98
6000+ ¥0.56789 ¥3407.34
15000+ ¥0.504798 ¥7571.97
30000+ ¥0.473247 ¥14197.41
75000+ ¥0.44646 ¥33484.50

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