DMG9N65CTI
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- 制造商编号:
- DMG9N65CTI
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 13W(Tc) ITO-220AB
- 规格说明书:
- DMG9N65CTI说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.3 欧姆 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2310 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 13W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | ITO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STF7N65M2 | STMicroelectronics | ¥13.21000 | 类似 |
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