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NTBG020N090SC1

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制造商编号:
NTBG020N090SC1
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 900 V 9.8A(Ta),112A(Tc) 3.7W(Ta),477W(Tc) D2PAK-7
规格说明书:
NTBG020N090SC1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.8A(Ta),112A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200 nC @ 15 V
Vgs(最大值) +19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4415 pF @ 450 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),477W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥285.37535 ¥285.38
10+ ¥263.22445 ¥2632.24
100+ ¥244.13966 ¥24413.97
800+ ¥244.139261 ¥195311.41

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