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STGW15H120DF2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGW15H120DF2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 259 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书：
- STGW15H120DF2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.6V @ 15V，15A |
| 功率 - 最大值 | 259 W |
| 开关能量 | 380µJ（开），370µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 67 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 23ns/111ns |
| 测试条件 | 600V，15A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 231 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥22.240959 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.709213 | ￥35.71 |
| 10+ | ￥32.06369 | ￥320.64 |
| 100+ | ￥26.27002 | ￥2627.00 |
| 500+ | ￥22.362895 | ￥11181.45 |
| 1000+ | ￥22.240959 | ￥22240.96 |
