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SIHD9N60E-GE3

Vishay photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SIHD9N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 9A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
SIHD9N60E-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 368 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 52 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 778 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 78W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STD13NM60ND STMicroelectronics ¥34.94000 类似
STD13N60M2 STMicroelectronics ¥22.89000 类似
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies ¥14.82000 类似
IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies ¥12.83000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
剪切带(CT)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.861606 ¥17.86
10+ ¥16.053788 ¥160.54
100+ ¥12.900366 ¥1290.04
500+ ¥10.599193 ¥5299.60
1000+ ¥9.08506 ¥9085.06

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