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STP35N60M2-EP

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制造商编号:
STP35N60M2-EP
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ M2-EP
描述:
MOSFET N-CH 600V TO220
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 26A(Tc) - TO-220
规格说明书:
STP35N60M2-EP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ M2-EP
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥35.000686 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥35.000686 ¥35000.69

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