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RS1E130GNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RS1E130GNTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3W（Ta），22.2W（Tc） 8-HSOP
- 规格说明书：
- RS1E130GNTB说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 420 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），22.2W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-HSOP |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.992587 | ￥4.99 |
| 10+ | ￥4.298412 | ￥42.98 |
| 100+ | ￥3.20825 | ￥320.82 |
| 500+ | ￥2.520892 | ￥1260.45 |
| 1000+ | ￥1.947964 | ￥1947.96 |
| 2500+ | ￥1.776096 | ￥4440.24 |
| 5000+ | ￥1.661494 | ￥8307.47 |
