在线客服 
SIHB33N60E-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHB33N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- SIHB33N60E-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3508 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 278W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB34NM60N | STMicroelectronics | ¥77.03000 | 类似 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥70.50000 | 类似 |
| STB37N60DM2AG | STMicroelectronics | ¥54.14000 | 类似 |
| STB36NM60ND | STMicroelectronics | ¥49.69000 | 类似 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | ¥83.10000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥34.977721 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥61.782409 | ￥61.78 |
| 10+ | ￥55.498483 | ￥554.98 |
| 100+ | ￥45.471058 | ￥4547.11 |
| 500+ | ￥38.708663 | ￥19354.33 |
| 1000+ | ￥34.977721 | ￥34977.72 |
