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STGW40H65DFB-4

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请参阅产品规格

制造商编号:
STGW40H65DFB-4
制造商:
ST意法半导体
系列:
HB
描述:
IGBT
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247-4
规格说明书:
STGW40H65DFB-4说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 HB
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,40A
功率 - 最大值 283 W
开关能量 200µJ(开),410µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/142ns
测试条件 400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 62 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4
供应商器件封装 TO-247-4
标准包装 600

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
600 / PCS
包装
管件
单价:¥32.350483 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥51.947455 ¥51.95
10+ ¥46.634591 ¥466.35
100+ ¥38.210474 ¥3821.05
500+ ¥32.527885 ¥16263.94
1000+ ¥32.350483 ¥32350.48

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