STGW40H65DFB-4
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- 制造商编号:
- STGW40H65DFB-4
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- HB
- 描述:
- IGBT
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247-4
- 规格说明书:
- STGW40H65DFB-4说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | HB |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,40A |
功率 - 最大值 | 283 W |
开关能量 | 200µJ(开),410µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 210 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 40ns/142ns |
测试条件 | 400V,40A,5 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 62 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-4 |
供应商器件封装 | TO-247-4 |
标准包装 | 600 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 600 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥32.350483 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥51.947455 | ¥51.95 |
10+ | ¥46.634591 | ¥466.35 |
100+ | ¥38.210474 | ¥3821.05 |
500+ | ¥32.527885 | ¥16263.94 |
1000+ | ¥32.350483 | ¥32350.48 |