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TSM6502CR RLG
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- 制造商编号：
- TSM6502CR RLG
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 24A（Tc），18A（Tc） 40W 表面贴装型 8-PDFN（5x6）
- 规格说明书：
- TSM6502CR RLG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc），18A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1159pF @ 30V，930pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（5x6） |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.714333 | ￥21.71 |
| 10+ | ￥19.53834 | ￥195.38 |
| 100+ | ￥15.702483 | ￥1570.25 |
| 500+ | ￥12.901072 | ￥6450.54 |
| 1000+ | ￥10.689436 | ￥10689.44 |
| 2500+ | ￥10.052779 | ￥25131.95 |
