在线客服 
SI4542DY
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4542DY
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A 1W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4542DY说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SH8M13GZETB | Rohm Semiconductor | ¥7.60000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 暂无报价 | ||
