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FQD12N20LTM-F085P

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制造商编号:
FQD12N20LTM-F085P
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 9A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
FQD12N20LTM-F085P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1080 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),55W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.043433 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥9.043433 ¥22608.58

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