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FQP55N10
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- 制造商编号：
- FQP55N10
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 55A（Tc） 155W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FQP55N10说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2730 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 155W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥21.20000 | 类似 |
| IXTP64N10L2 | IXYS | ¥139.85000 | 类似 |
| PSMN015-100P,127 | Nexperia USA Inc. | ¥19.74000 | 类似 |
| PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥25.57000 | 类似 |
| PSMN013-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥16.51000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥12.20667 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.629097 | ￥22.63 |
| 10+ | ￥20.328887 | ￥203.29 |
| 100+ | ￥16.343306 | ￥1634.33 |
| 500+ | ￥13.42736 | ￥6713.68 |
| 1000+ | ￥12.20667 | ￥12206.67 |
