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TK12E80W,S1X
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- 制造商编号：
- TK12E80W,S1X
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TK12E80W,S1X说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 570µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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