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APTC60AM45B1G

Microchip photo

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制造商编号:
APTC60AM45B1G
制造商:
Microchip微芯
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述:
MOSFET - 阵列 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) 600V 49A 250W 底座安装 SP1
规格说明书:
APTC60AM45B1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 CoolMOS™
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 49A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V
功率 - 最大值 250W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥851.722336 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
12+ ¥851.722336 ¥10220.67

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