APTC60AM45B1G
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- 制造商编号:
- APTC60AM45B1G
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) 600V 49A 250W 底座安装 SP1
- 规格说明书:
- APTC60AM45B1G说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 散装 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 600V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 24.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 3mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 250W |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP1 |
供应商器件封装 | SP1 |
标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
单价:¥851.722336 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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12+ | ¥851.722336 | ¥10220.67 |